西电新闻网讯（通讯员 程珺）6月28日下午，应微电子学院副院长张进成教授邀请，中国科学院物理研究所韩秀峰研究员在北校区东大楼221报告厅做了题为《双势垒磁性隧道结中的量子阱态及量子阱共振隧穿磁电阻效应》的学术报告，微电子学院100余名师生参加了报告会。

报告中，韩秀峰介绍了双势垒磁性隧道结（DBMTJ）中存在的量子阱态和量子阱共振隧穿磁电阻效应，以及单晶双势垒磁性隧道结中的电导随偏压振荡效应等理论和实验研究，这对开发和利用双势垒磁性隧道结中的量子阱态及量子阱共振隧穿磁电阻效应、获得更高的隧穿磁电阻比值、推动自旋共振隧穿二极管等关键自旋电子学器件的研发具有重要意义。同时，他从耗能、散热等方面将微电子学与自旋电子学进行比较，指出可以用电子自旋特性来弥补微电子的不足，表明未来微电子学和自旋电子学将会共同发展。

报告会现场学术交流氛围浓郁，韩秀峰同在场师生进行了积极的交流讨论，会后并与部分师生就双方感兴趣的议题进一步展开了研讨。通过报告，同学们对双势垒磁性隧道结以及双势垒磁性隧道结中的量子阱态及量子阱共振隧穿磁电阻效应有了更深入的认识和了解。

报告人简介：

韩秀峰，中科院物理所研究员，博士生导师。2003年获得国家杰出青年基金资助，2007年获国家基金委创新研究群体基金资助，2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。主要从事自旋电子学材料、物理和器件原理研究。发表SCI学术论文300余篇、获发明专利授权70余项，主编《自旋电子学导论》和参与撰写《Handbook of Sprintronic》等5部专著。现任国际期刊JMMM副主编、SPIN等多种杂志的编委。