2005年7月9日上午9：30由陕西省科技厅组织、省信息产业厅主持对郝跃副校长负责的"高亮度 GaN蓝光LED技术"进行了科技成果鉴定。鉴定专家组由西安光学精密机械研究所候洵院士、西安交通大学罗晋生教授副主任、西安邮电学院韩俊刚教授、877厂田盘龙教授、航天771所张伟功研究员、航天16所戴世荣研究员和西北工业大学张元春高工组成，与此同时，信息产业厅孙安会副厅长、任均恩副处长、雷纯以及陕西省科技厅党禹州副厅长、杨鹏林成果处处长和卢道真也应邀出席了会议。
　　

　　

　　

　　会上大家听取了课题组的研制工作报告、技术总结报告、经济社会效益分析报告、测试报告、用户报告和查新报告，审查了相关技术资料，观看了现场演示，经认真讨论认为：提供的鉴定资料齐全，数据可靠，符合鉴定要求；该项目研制的用于GaN材料生长的MOCVD系统，其冷壁反应室设计、全自动控制系统与MO源恒流配气系统具有创新性；该项目在全自动实时控制系统的基础上，利用InGaN/GaN多量子阱权威温度不敏感制备工艺、Si掺杂势垒层和梯形势阱多量子阱结构，制备出了高质量的GaN蓝光LED外延片和小批量LED管，发光强度超过3cd。
　　综上所述，项目获得多项自主知识产权，在MOCVD系统的研制和利用自行研制的系统生长高亮度蓝光LED外延片技术方面处于国内领先水平。本次鉴定获得了完满成功。（冯倩）