3月8日下午2：00点，在教学楼J2-04教室，美国耶鲁大学教授马佐平院士，做了题目为 “Advanced Gate Dielectrics for MOS Technology” 的精彩学术报告，学校师生近200多人聆听了该报告，报告会受到了我校师生的热烈欢迎，整个会场气氛热烈、会上老师、学生踊跃提问。会后我校校长助理杨银堂、微电子学院院长庄奕琪、副院长张玉明、国际交流处长高新波等人和马佐平院士进行了座谈，双方愿意以后加强合作，共谋发展。此项活动由微电子学院和国际交流处联合举办。
　　

　　耶鲁大学是美国知名大学，曾培养出四位美国总统，如美国现任布什总统出自耶鲁大学，并培养出大量美国五百强企业领导。
　　马佐平博士是耶鲁大学电子工程Raymond John Wean教授、电子工程系系主任、耶鲁微电子中心联合主任、应用物理教授。2003年2月，马教授当选为美国工程院院士。
　　马教授任数个耶鲁大学的委员会委员，包括研究生院执行委员会，耶鲁学院执行委员会，教学委员会(1996年担任主席)，高级教师任命委员会，初级教师任命委员会，少数民族顾问委员会，物理科学和工程顾问委员会，工程教师发展委员会，Bouchet奖委员会，耶鲁学院副院长调查委员会（主席），NEASC认证执行委员会。
　　马教授1974年在耶鲁大学获得博士学位，1977年加入耶鲁的教员行列，其间在IBM从事CMOS器件电离辐射效应的研究工作。他的教学科研工作主要是在微电子、半导体、MOS界面物理、电离辐射和热电子、先进栅介质、快闪存储器件物理、以及存储应用的铁电薄膜等领域，曾经在许多国际学术会议上做过特约报告，有多本专著和发表过180多篇论文。
　　马教授是一名世界著名的学者，曾经在著名国际学术会议例如IEEE/SISC、IEEE/DRC、IEEE/NSREC、VLSI-TSA、SSDM、EDMS、ICSICT、ECS和MRS等作为组织者，或者担任主席，或者作为委员会成员。
　　马教授曾获得多项奖励，例如：耶鲁大学Harding Bliss奖， GE Whitney Lectureship, 康涅狄格州Yankee Ingenuity 奖，两次作为获得大学生发明奖的指导教师，以及IEEE EDS 的Paul Rappaport奖。
　　马教授是工程院院士，IEEE的Fellow，康涅狄格科学与工程院院士，美国物理协会终身成员，是电子化学学会，材料研究学会，Sigma Xi，和耶鲁科学工程协会会员。
　　马教授是中国科学院荣誉教授、清华大学、天津大学、山东大学的荣誉客座教授。
　　马教授在工业界也有着广泛的影响力，在IBM、Intel、TI、Sematech、Micron Technologies、Lucent Technology、GE、AMD、Hughes、LSI Logic、Rockwell Semiconductors、JPC、ATMI、PSS、Philips、Siemens、Hitachi、NEC、Toshiba、和Mitsubishi Electric担任顾问。（微电子学院 黄兴）