访问期间，郝跃副校长会见了赵策洲博士，微电子学院院长庄奕琪教授、副院长张玉明教授、刘红侠教授等还与赵策洲博士就今后科研合作等事宜进行了深入商谈。赵策洲博士面向微电子学院师生作了题为“Growth Characteristics and Reliability of High K Dielectric”的学术报告。报告详细介绍了目前国际亚45nmCMOS工艺中广泛采用的High K介质的材料生长、特性分析和可靠性表征技术，并结合自己最新的研究成果做了生动的讲解，受到了师生们的好评。报告会后，赵策洲博士还耐心地回答了与会教师和学生们提出的诸多问题。
　　赵策洲博士，1981年就读于我校，并先后在我校获工学学士和硕士学位，1995年获得西安交通大学微电子学与固体电子学博士学位。1998—2007年在英国利物浦约翰摩尔斯大学任研究员，现任利物浦大学的高级研究员。赵策洲博士近年来一直从事新型High K材料生长和表征技术研究，并取得了显著的创新性成果，先后在国际刊物和会议上发表了几十篇高水平的学术论文。
　　（编 辑\侯其锋 供 稿\曹静）