E流网讯（通讯员 张平平）10月14日中科院电子所所长吴一戎院士一行来校就我校在三代半导体领域的科研、生产情况进行调研。郝跃副校长热情接待了吴院士一行。

　　10月14日上午双方在办公楼第三会议室进行了亲切的座谈交流。郝跃副校长首先发表致辞，对吴一戎院士一行的到来表示热烈欢迎，同时从学校历史沿革、现状特色以及规划战略思想等三个主要方面简要介绍了学校总体情况，接下来就我校在GaN材料及器件方面的研究及进展情况作了重点介绍。

　　吴一戎院士简要介绍了中科院电子所的情况后，座谈双方进行了深入的交谈，中科院电子所的专家主要从雷达应用方面提出了GaN材料及器件的技术指标的需求，我校参会专家介绍了我校在GaN材料及器件方面的科研实力及技术指标情况。

　　随后，在郝跃副校长的陪同下，吴一戎院士一行参观了我校宽带隙半导体技术国防重点学科实验室，吴院士对我校在三代半导体领域的科研、实验室建设方面取得的成就表示充分赞许，并希望能与我校开展深入的合作。

　　10月14日下午，吴一戎院士一行参观了我校雷达信号处理国防科技重点实验室，并听取了刘宏伟主任关于我校雷达信号处理领域的科研、实验室建设情况的报告。期间在郝跃副校长的陪同下吴一戎院士同保铮院士进行了亲切交谈。

　　接下来在办公楼第三会议室举行了聘任吴一戎院士为我校名誉教授的仪式，首先刘宏伟主任介绍了吴一戎院士的情况，然后郝跃副校长宣读了聘任决定，最后段宝岩校长给吴院士颁发了聘书并佩戴了校徽。保铮院士对吴一戎院士接受我校的聘任表示感谢，并对吴院士长期以来与我校的合作工作进行了肯定。吴院士对我校授予他名誉教授表示感谢，并表态今后将进一步与我校开展更深入、更广泛的合作。

　　我校党政办公室、科研处、雷达信号处理国防科技重点实验室、宽带隙半导体技术国防重点学科实验室等单位相关负责人及专家参加了座谈交流及聘任仪式。（完）