E流网讯（通讯员 黄兴 冯倩）应西安电子科技大学微电子学院，宽禁带教育部重点实验室张义门教授的邀请，香港科技大学陈敬教授于2008年11月13日来西电访问。

　　访问期间，郝跃副校长会见了陈敬教授，与其就氮化镓技术的发展趋势，促进相互合作等议题进行了深入磋商，国际合作与交流处左愿远副处长，微电子学院庄奕琪院长，张玉明副院长以及宽禁带半导体实验室氮化镓课题组的部分教师也参加了会谈。
　
　　11月13日下午3：00，在科技裙楼，微电子学院大会议室，陈敬教授面向西电微电子学院的研究生和青年教师作了题为“氟等离子体注入-GaN器件工艺中的一项新技术” 的报告。陈敬教授的报告概括介绍了宽禁带半导体材料GaN的特点与优势，重点讲解了如何通过氟等离子体注入对AlGaN/GaN HEMT器件的阈值电压进行调制，实现增强型器件，并给出了器件高温稳定性和电应力可靠性的一系列实验结果，对所涉及到的物理机制也给出了详尽解释。此外，他还介绍了该技术在电力电子器件领域的应用前景。

　　陈敬教授于1993年获得美国马里兰大学帕克分校博士学位，1994-1995年在NTTLSI实验室开展功能量子效应器件和异质结场效应管器件的研究，1999年进入安捷伦公司重点研究用于双带GSM/DCS无线手机的射频功放，2000年陈敬教授加入香港科技大学电子与计算机工程系，主要研究领域包括宽禁带III-N族器件，硅基微波无源期间及互连技术，多频带微波滤波器设计。陈敬教授是IEEE的高级会员和IEEE电子器件协会的杰出教师，迄今为止陈教授在国际刊物和国际会议上发展论文170多篇。（完）