西电新闻网讯 应微电子学院张义门教授邀请，6月16日至19日美国罗格斯大学赵建辉教授来我校讲学访问。

赵建辉教授为来自西安理工大学和西安电子科技大学的200多名师生作专题报告

　　6月17日，赵建辉教授为来自西安理工大学和西安电子科技大学的200多名老师和研究生作了题为“SiC Power Electronic Devices: The Second Electronics Revolution”的报告。报告介绍了SiC的独特优势以及发展潜力、SiC功率器件和功率集成电路的新进展等。他还特别介绍了其研究中心在功率器件方面取得的成就，其中包括2000年研制的世界上第一个4H-SiC双极晶体管、2003年研制出第一个增强型SiC VJFET、以及2007年所研制出的第一个SiC功率集成电路。来访期间，赵建辉还参观了宽带隙半导体技术重点实验室并与微电子学院部分师生进行了深入讨论，对我校发展SiC材料和器件提出了宝贵建议，并表示今后在SiC方面将于我校开展深入合作。

　　赵建辉教授于1988年获得美国卡内基梅隆大学电气及计算机工程专业博士学位，目前是美国罗格斯大学教授、SiCLAB研究中心主任、IEEE Fellow、IEEE EDS杰出讲学者。已发表220多篇论文，在研究机构和国际学术会议上做过170多次学术报告，拥有7项专利，出版两部专著，其中一本荣获2000年度亚玛逊.com相关书籍的最佳畅销书籍。（完）